AlInSb層でサンドイッチしたInAsSbの特性と磁気センサ応用

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: PHS07018

グループ名: 【E】センサ・マイクロマシン部門　フィジカルセンサ研究会

発行日: 2007/07/02

タイトル(英語): Properties of InAsSb single-crystal thin films sandwiched by lattice matched Al0.1In0.9Sb layers grown on GaAs and their application as practical magnetic sensors

著者名: 外賀寛崇 (旭化成エレクトロニクス),柴崎 一郎(旭化成)

著者名(英語): Hirotaka Geka(Asahi-Kasei Electronics Corporation),Ichiro Shibasaki(Asahi-Kasei Corporation)

キーワード: 分子線エピタキシー|インジウムアンチモン薄膜|磁気センサ|InAsSb量子井戸|Molecular beam epitaxy|Indium antimonaide thin film|magnetic sensors|InAsSb quantum well

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 412 Kバイト