PZT圧電薄膜とそのMEMS応用

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: PHS07039

グループ名: 【E】センサ・マイクロマシン部門　フィジカルセンサ研究会

発行日: 2007/12/07

タイトル(英語): Piezoelectric PZT thin films and their applications in MEMS

著者名: 神野伊策 (京都大学)

著者名(英語): Isaku Kanno(Kyoto University)

キーワード: 圧電|薄膜|PZT|MEMS|アクチュエータ

要約(日本語): スパッタ法を用いてPZT圧電薄膜をPt/MgO,Pt/SiおよびPt/ステンレス基板上に形成した。X線回折測定の結果、各基板上にペロブスカイト構造のPZT薄膜の成長が確認できた。各基板上に形成したPZT薄膜の圧電特性をユニモルフカンチレバーの変位から計算し、e31*(=d31/s11)がMgO、Si、SS基板それぞれにおいて-4.8, -4.3~-7.7, および-1.3C/m2の値を示した。Si基板上のPZT薄膜を微細加工し、MEMSスイッチおよびMEMS可変ミラーへの応用を検討した。その結果、PZT圧

要約(英語): Piezoelectric PZT thin films were deposited on Pt-coated MgO, Si, and stainless steel (SS) substrates by rf-magnetron sputtering. The x-ray diffraction measurements indicated that the PZT films were epitaxially grown on MgO, on the other hand, the films o

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 564 Kバイト