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トンネル型磁気抵抗素子を用いた地磁気センサ

トンネル型磁気抵抗素子を用いた地磁気センサ

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カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: PHS07040

グループ名: 【E】センサ・マイクロマシン部門 フィジカルセンサ研究会

発行日: 2007/12/07

タイトル(英語): The tunneling magneto-resistive terrestrial magnetic sensor

著者名: 高 太好(リコー)

著者名(英語): Futoyoshi Kou(RICOH COMPANY,Ltd. )

キーワード: 地磁気センサ|磁気抵抗素子|トンネル磁気抵抗効果

要約(日本語): トンネル型磁気抵抗(TMR)素子を用いた地磁気センサを試作し、センサ性能を報告する。試作方法の紹介および地磁気強度でのセンサ素子角度特性、差動ブリッジ回路に適用した場合について示す。携帯電話などのモバイル用途向けには十分な72方位の分解能を持つことも示す。

要約(英語): The TMR (Tunneling Magneto-resistive) junctions of SiO2-sub./bottom-electrode/IrMn/CoFe/Al-oxide/NiFe/ top-electrode were fabricated. We have succeeded to observe both high sensitivity and linearity in a low magnetic field for the optimized TMR junctions.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 392 Kバイト

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