FPD用CNTフィールドエミッション源の開発

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: PHS07041

グループ名: 【E】センサ・マイクロマシン部門　フィジカルセンサ研究会

発行日: 2007/12/07

タイトル(英語): Development of CNT Field Emission Source for FPD

著者名: 門田 太一(埼玉大学)

著者名(英語): Taichi Monden(saitama university)

キーワード: CNT|FED|電界放出

要約(日本語): FPDに応用するためにCNTの電界放出現象を調べた。CNTは触媒金属であるNiをSi基板上に直接蒸着させ、NiとSiのシリサイド化を防ぐTiのような障壁金属を用いることなく成長させた。CNTをMPCVDによって成長させた後電界放出特性を測定した。三極管型CNTエミッターも同様の方法で作製し、電界放出特性を測定した。

要約(英語): Field emission characteristic of CNT has been investigated to apply for FPD. CNT was grown on a Si substrate using Ni catalytic metal without buffer layer to prevent formation of Ni silicide.After CNT was grown by MPCVD, the field emission characteristic

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 729 Kバイト