シリコン基板上の酸化ハフニウム膜の窒化によるバッファ層の形成とGaN結晶の成長

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: PHS08015

グループ名: 【E】センサ・マイクロマシン部門　フィジカルセンサ研究会

発行日: 2008/06/12

タイトル(英語): Formation of a buffer layer by nitrifying hafnium oxide film on silicon substrate and the growth of GaN crystal

著者名: 鮫島 英久(東北大学),涌井 雅史(東北大学),伊藤亮輔 (東北大学),胡芳仁 (東北大学),羽根 一博(東北大学)

著者名(英語): H. Sameshima(Tohoku University),M. Wakui(Tohoku University),R. Ito(Tohoku University),F.R. Hu(Tohoku University),K. Hane(Tohoku University)

キーワード: 窒化ガリウム|分子線エピタキシー|量子井戸|MEMS|Gallium Nitide|Molecular Beam Epitaxy|Quantum Well|MEMS

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,006 Kバイト