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単結晶InAs薄膜を用いた高性能ホール素子開発

単結晶InAs薄膜を用いた高性能ホール素子開発

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カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: PHS09010

グループ名: 【E】センサ・マイクロマシン部門 フィジカルセンサ研究会

発行日: 2009/02/04

タイトル(英語): High-performance Hall Elements of InAs Single Crystal Thin Films

著者名: 池田 孝司(旭化成エレクトロニクス),柴田 佳彦(旭化成エレクトロニクス),藤本 佳伸(旭化成エレクトロニクス),寺田 正人(旭化成エレクトロニクス)

著者名(英語): Takashi Ikeda(Asahi Kasei EMD),Yoshihiko Shibata(Asahi Kasei EMD),Yoshinobu Fujimoto(Asahi Kasei EMD),Masato Terada(Asahi Kasei EMD)

キーワード: ホール素子|回転角センサー|温度係数|単結晶InAs薄膜|MBE|Hall elements|rotation angle sensor|temperature coefficients of Hall elements|InAs single crystal thin film|molecular beam epitaxy

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 498 Kバイト

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