安全で安心な電子デバイスに向けた酸化物薄膜の問題点と高品質膜の作製法
安全で安心な電子デバイスに向けた酸化物薄膜の問題点と高品質膜の作製法
カテゴリ: 研究会(論文単位)
論文No: PHS09024
グループ名: 【E】センサ・マイクロマシン部門 フィジカルセンサ研究会
発行日: 2009/07/23
タイトル(英語): Preparation of High-Quality Oxide Thin Films Applied to Safe and Secure Electronic Devices
著者名: 遠藤 和弘(金沢工業大学),南戸 秀仁(金沢工業大学),有沢 俊一(物質・材料研究機構),バディカピータ (ルーマニア国立材料物理研究所),菊地 悠太(東京工科大学),毛塚博史 (東京工科大学)
著者名(英語): Kazuhiro Endo(Kanazawa Institute of Technology),Hidehito Nanto(Kanazawa Institute of Technology),Shunichi Arisawa(National Institute of Materials Science),Petre Badica(National Institute of Materials Physics),Yuuta Kikuchi(Tokyo University of Technology),Hiroshi Kezuka(Tokyo University of Technology)
キーワード: 薄膜|酸化物|高温超電導体|多成分系物質|化学気相成長法|基板|マイクロ波応用|ジョセフソン接合|thin film|oxide|high-Tc superconductor|multicomponent materials|MOCVD|substrate|microwave application|Josephson junction
原稿種別: 日本語
PDFファイルサイズ: 940 Kバイト
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