SOI基板を利用したMOSFET型ひずみ検出素子の試作と評価

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: PHS09036

グループ名: 【E】センサ･マイクロマシン部門　フィジカルセンサ研究会

発行日: 2009/07/23

タイトル(英語): Active Strain Sensor using SOI-MOSFET Technology

著者名: 原田 知親(山形大学大学院),奥山 澄雄(山形大学大学院),松下 浩一(山形大学大学院)

著者名(英語): Tomochika Harada(Yamagata University),Sumio Okuyama(Yamagata University),Koichi Matsushita(Yamagata University)

キーワード: 能動型ひずみセンサ|SOI-MOSFET|ピエゾ抵抗効果|active stress sensor|SOI-MOSFET|piezoresistance effect

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 907 Kバイト