MEMSデバイスによるシリコンナノワイヤのTEM内熱伝導測定

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: PHS10020

グループ名: 【E】センサ・マイクロマシン部門 フィジカルセンサ研究会

発行日: 2010/06/17

タイトル(英語): Thermal conductance measurements in silicon nanowire using MEMS in TEM

著者名: Jalabert Laurent(東京大学生産技術研究所),Volz Sebastian(東京大学生産技術研究所),Bouscayrol Laurent(パリ中央大学),佐藤 隆昭(東京大学生産技術研究所),石田 忠(東京大学生産技術研究所),藤田 博之(東京大学生産技術研究所)

著者名(英語): Jalabert Laurent(Institute of Industrial Sciences,The University of Tokyo),Volz Sebastian(Institute of Industrial Sciences,The University of Tokyo),Bouscayrol Laurent(Ecole Centrale Paris),Sato Takaaki(Institute of Industrial Sciences,The University of Tokyo),Ishida Tadashi(Institute of Industrial Sciences,The University of Tokyo),Fujita Hiroyuki(Institute of Industrial Sciences,The University of Tokyo)

キーワード: ナノテクノロジー|ＭＥＭＳ|透過電子顕微鏡|熱伝導|nanotechnology|MEMS|TEM|thermal conduction

要約(日本語): 透過型電子顕微鏡内部において、直径5から40 nmのシリコンナノワイヤの熱伝導特性を、MEMSデバイスで測定した。デバイスには、マイクロヒータと温度センサをナノワイヤの両端にそれぞれ集積しており、ボロンを高濃度にドープしたシリコンウエハから作製した。静電駆動によりナノワイヤを伸張すると、ワイヤ上にネック（くびれ部分）が生じた。ワイヤ径とワイヤ両端の温度差に依存して、異なった熱伝導特性を示すことがわかった。

要約(英語): We present the measurements of the thermal conductance in silicon nanowire with diameters ranging from 5 to 40nm by using MEMS in a Transmission Electron Microscope. The MEMS device is based on integrated micro-heater and temperature sensor made of heavily boron-doped silicon. A local “neck” is generated on the nanowire by using the electrostatic actuation. The results show several conduction regimes as a function of the wire dimensions and the temperature difference between the wire ends.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 614 Kバイト