C60単結晶を用いた電界効果トランジスタの特性

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: PHS11017

グループ名: 【E】センサ・マイクロマシン部門 フィジカルセンサ研究会

発行日: 2011/03/01

タイトル(英語): Fabrication and properties of C60 single-crystal field-effect transistors

著者名: 前田 大晃(横浜市立大学),栗山 遼太(横浜市立大学),橘 勝(横浜市立大学)

著者名(英語): Maeda Hiroaki(Yokohama CIty University),Kuriyama Ryota(Yokohama CIty University),Tachibana Masaru(Yokohama CIty University)

要約(日本語): C60を用いた電界効果トランジスタは比較的高い電子移動度を示すことが知られている。本研究では、C60単結晶を電極基板に押し付けるといった比較的簡単な方法によって作製したFETを用いて電気特性を測定した。結果として、大気中でも電子移動度が3.07×10-2 cm2/Vsの比較的高い移動度を示めすことを報告する。

原稿種別: 日本語

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