ハニカムSOIウエハを用いた加速度センサ

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: PHS12007

グループ名: 【E】センサ・マイクロマシン部門 フィジカルセンサ研究会

発行日: 2012/01/25

タイトル(英語): Acceleration sensor using Silicon on Honeycomb Insulator wafer

著者名: 宮川 宜和(兵庫県立大学),横松 得滋(JST ERATO 前中センシング融合プロジェクト),竹内 悠(JST　ERATO前中センシング融合プロジェクト),神田 健介(兵庫県立大学),藤田 孝之(兵庫県立大学),樋口 行平(JST　ERATO前中センシング融合プロジェクト),前中 一介(兵庫県立大学)

著者名(英語): Miyagawa Yoshikazu(University of Hyogo),Yokomatsu Tokuji(JST ERATO Maenaka Human Sensing Fusion Project),Takeuchi Haruka(JST ERATO Maenaka Human Sensing Fusion Project),Kanda Kensuke(University of Hyogo),Fujita Takayuki(University of Hyogo),Higuchi Kohei(JST ERATO Maenaka Human Sensing Fusion Project),Maenaka Kazusuke(University of Hyogo)

キーワード: 容量検出型加速度センサ|低寄生容量|ＳＯＩ|ハニカム構造|直接接合

要約(日本語): MEMS技術を用いた容量検出型加速度センサにおいて、加速度により発生する微少な寄生容量は、各所で生じる大きな寄生容量のため検出が難しい。寄生容量を低減する工夫が求められている。本研究では、無数の空孔でハニカム構造を形成した厚膜絶縁層を有する改良型SOIウエハを独自に作製し、それを用いて静電容量検出型の加速度センサを作製することで寄生容量を低減させ、検出感度の高い加速度センサを作製した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 3,871 Kバイト