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スパッタリングと水熱合成を用いた圧電デバイス用PZT薄膜の作製

スパッタリングと水熱合成を用いた圧電デバイス用PZT薄膜の作製

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カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: PHS13002

グループ名: 【E】センサ・マイクロマシン部門 フィジカルセンサ研究会

発行日: 2013/01/25

タイトル(英語): Fabrication of PZT Film for Piezoelectric Devices by Combining a Sputtering Deposition and a Hydrothermal Method

著者名: 池永 訓昭(金沢工業大学),岸 陽一(金沢工業大学),矢島 善次郎(金沢工業大学),作道 訓之(金沢工業大学),神田 岳文(岡山大学)

著者名(英語): Ikenaga Noriaki(Kanazawa Institute of Technology),Kishi Yoichi(Kanazawa Institute of Technology),Yajima Zenjiro(Kanazawa Institute of Technology),Sakudo Noriyuki(Kanazawa Institute of Technology),Kanda Takefumi(Okayama University)

要約(日本語): 水熱合成は基板形状を比較的自由に選択できるため,立体形状の基板のPZT成膜に用いられている成膜法である.水熱合成は成膜後の後熱処理や分極処理の必要がない特徴を有しているが,PZT薄膜を成膜する場合,PZT結晶を密に成膜するために核生成プロセスを別途行なう必要があった.本研究ではPZT薄膜の結晶成長密度を劇的に改善することを目的に,スパッタリングと水熱合成の複合プロセスの開発に取り組んだ.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 7,514 Kバイト

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