超高感度磁気センサーのためのInSb系量子井戸の研究

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: PHS13025

グループ名: 【E】センサ・マイクロマシン部門 フィジカルセンサ研究会

発行日: 2013/08/08

タイトル(英語): Investigation of InSb Quantum Wells for Magnetic Sensors with High Sensitivity

著者名: 柴崎 一郎(野口研究所),眞砂 卓史(福岡大学),石田 修一(山口東京理科大学),外賀 寛崇(旭化成)

著者名(英語): Ichiro Shibasaki(the Noguchi Institute),Takashi Manago(Fukuoka University),Shuichi Ishida(Tokyo University of Science,Yamaguchi),Hirotaka Geka(Asahi Kasei)

キーワード: 狭ギャップ半導体|ＩｎＳｂ|ＩｎＡｓＳｂ|量子井戸|バンドダイアグラム|磁気センサー|Narrow gap semiconductor|InSb|InAsSb|Quantum well|Band diagram|magnetic sensor

要約(日本語): InSb QWとInAsSb QWの電気伝導特性について比較を行ない、As置換による特性の変化について詳細に調べた。InAsSb QWにおける移動度の向上はバリア層に用いているInAlAsとの格子マッチングが0%と良くなったためであると考えられる。一方、キャリア密度はInAsSb QWが数倍大きいことがわかった。バンドアライメント計算の結果から、InSb QWは元来空乏傾向であり、伝導帯の底がフェルミレベルより上にあることが分かった。As置換により井戸層の伝導帯が下がり、フェルミ面の下に来るため、空乏化しなくなるためであることがわかった。

要約(英語): Transport properties of InSb and InAsSb quantum wells were investigated. Replacing Sb with As causes the increase in the mobility and carrier density, resulting in drastically decrease in the sheet resistivity. The increase of mobility for InAsSb QW is due to absence in the lattice mismatch between the active layer and, buffer and cap layers. Band diagram calculation revealed that the InSb QW tends to depletion. On the other hand, in InAsSb, the bottom of the conduction band of the active layer lowers and lies under the Fermi level, which leads the increase of the carrier density.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 780 Kバイト