20μW駆動低電圧CMOS温度センサ

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: PHS13036

グループ名: 【E】センサ・マイクロマシン部門 フィジカルセンサ研究会

発行日: 2013/08/09

タイトル(英語): Low Voltage CMOS Temperature Sensor at 20uW

著者名: 太田 壮思(慶應義塾大学),松本 佳宣(慶應義塾大学)

著者名(英語): Soshi Ota(Keio University),Yoshinori Matsumoto(Keio University)

キーワード: インバータ|差動増幅回路|温度センサ|ダイオード接続|低電圧|低消費電力|inverter|differential amplifier|temperature sensor|diode connection|low voltage|low power consumption

要約(日本語): センサの低電圧化・低消費電力化のニーズに応えるため、1.0Vで動作する集積化温度センサを設計した。1.0Vで動作させるため、検出回路に用いた差動増幅回路は従来の差動増幅回路ではなく、6つのインバータで構成された全く新しいものを用いた。負帰還回路中にダイオード接続をしたNMOSを接続して正の温度特性を得た。実測において、0℃から50℃の範囲で0.62mV/℃の線形的な結果を得た。消費電力は電源電圧1.0Vにおいて20.4μWであった。

要約(英語): The temperature sensor at 1.0V was designed. The differential amplifier in the sensor was the new design composed by six inverters. The diode connection of NMOS transistor in negative feedback gave the temperature characteristic. It was measured 0.62mV/℃ from 0℃ to 50℃. The power consumption was 20.4μW at 1.0V.

原稿種別: 日本語

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