P(VDF/TrFE)薄膜を用いたMEMS超音波センサの開発
P(VDF/TrFE)薄膜を用いたMEMS超音波センサの開発
カテゴリ: 研究会(論文単位)
論文No: PHS14023
グループ名: 【E】センサ・マイクロマシン部門 フィジカルセンサ研究会
発行日: 2014/05/28
タイトル(英語): Development of MEMS Ultrasonic Sensor Using P(VDF/TrFE) Thin Films
著者名: 田中 恒久(大阪府立産業技術総合研究所),村上 修一(大阪府立産業技術総合研究所),宇野 真由美(大阪府立産業技術総合研究所),山下 馨(京都工芸繊維大学)
著者名(英語): Tanaka Tsunehisa(Technology Research Institute of Osaka Prefecture),Murakami Shuichi(Technology Research Institute of Osaka Prefecture),Uno Mayumi(Technology Research Institute of Osaka Prefecture),Yamashita Kaoru(Kyoto Institute of Technology)
キーワード: P(VDF/TrFE)|MEMS|超音波センサ|P(VDF/TrFE)|MEMS|Ultrasonic sensor
要約(日本語): P(VDF/TrFE)薄膜を圧電体薄膜として使用したMEMS超音波センサを作製した。センサ上に作製したP(VDF/TrFE)薄膜は良好な強誘電性を示した。作製したMEMS超音波センサの受信感度特性を測定評価したので報告する。
要約(英語): MEMS ultrasonic sensor was fabricated using the poly(vinylidene fluoride-trifluoroethylene)[P(VDF/TrFE)] copolymer thin films having multilayer diaphragm structures. It was shown that the P(VDF/TrFE) thin film on MEMS ultrasonic sensor exhibit a remanent polarization Pr of 72 mC/m2 and a coercive field Ec of 59 MV/m. The resonant frequency, Q-value and sensitivity of the MEMS ultrasonic sensors are estimated to be on the order of 176 kHz, 15 and 45 uV/Pa, respectively. The P(VDF/TrFE) thin film was shown to be useful for piezoelectric material of MEMS ultrasonic sensor.
原稿種別: 日本語
PDFファイルサイズ: 1,211 Kバイト
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