InSb単結晶薄膜のGaAs（001）上へのMBE成長と電子輸送特性

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: PHS15031

グループ名: 【E】センサ・マイクロマシン部門 フィジカルセンサ研究会

発行日: 2015/07/02

タイトル(英語): Transport properties of InSb single crystal thinfilms grown on GaAs substrates by MBE and lattice mismatch effect

著者名: 柴﨑 一郎(豊橋技術科学大学，野口研究所),外賀 寛崇(旭化成エレクトロニクス),岡本 敦(旭化成エレクトロニクス)

著者名(英語): Ichiro Shibasaki(Toyohashi University of bTechnology and the Noguchi Institute),Hirotaka Geka( Asahikasei Electronics),Atsushi Okamoto( Asahikasei Electronics)

キーワード: ＩｎＳｂ　薄膜|格子不整合|ＭＢＥ成長|電子輸送現象|InSb thin film|Large lattice mismatch|MBE growth|Transport propertiy

要約(日本語): 　狭ギャップⅢ－Ⅴ族化合物半導体であるInSbをGaAs（001）基板上にMBE成長させる場合基板との間で大きな格子不整合を有する。こうした格子不整合は、成長したInSb単結晶薄膜の電子輸送特性に大きく影響し、InSb単結晶薄膜ホール素子高感度化等を阻害する要因でもあり、改善が望まれていた。本講演では、狭ギャップの化合物半導体に特徴的な薄膜の電子輸送特性とその制御について述べる。

要約(英語): A reletion between transport properties ofb InSb tin film grown on GaAs substrates by MBE and a large lattice mismatch effect was studied. Sveral large mismach effects were found. By reducing suchi mismatch effect,large electron mobility InSb thin films were grown.Sn doping as n-type impurity was effective to reduce temperature dependence of resistance of InSb thin films. 　

原稿種別: 日本語

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