Silicon On Nothing の形成とその圧力センサへの応用

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: PHS15034

グループ名: 【E】センサ・マイクロマシン部門 フィジカルセンサ研究会

発行日: 2015/07/02

タイトル(英語): Realization of SON and The Application to Pressure Sensor

著者名: 陳 健(兵庫県立大学),ハオ シュウシュン(科学技術振興機構),田中 伸哉(兵庫県立大学),横松 得滋(兵庫県立大学),神田 健介(兵庫県立大学),藤田 孝之(兵庫県立大学),前中 一介(兵庫県立大学)

著者名(英語): JIAN CHEN(University of Hyogo),Xiu chun Hao(Japan Science and Technology Agency),Sinya Tanaka(University of Hyogo),Tokuji Yokomatsu(University of Hyogo),Kensuke Kanda(University of Hyogo),Takayuki Fujita(University of Hyogo),Kazusuke Maenaka(University of Hyogo)

キーワード: ＭＥＭＳ|ＳＯＮ|圧力センサ|静電容量|通電加熱|水素アニール|MEMS|SON|pressure sensor|electrostatic capacity|Joule heating|hydrogen annealing

要約(日本語): SON(Silicon on nothing)技術により、シリコンウエハに薄膜メンブレンを介した真空の空洞を持つ構造体ができ、これを圧力センサとして応用できる。このメンブレンは単結晶であり、圧力センサとして良好な特性を持つ。我々はまずチップレベルの通電加熱によりSON構造体を実現し圧力センサを試作して特性を評価した。また、ウェハレベルの実現可能性を検討するため４インチウェハを用いてSON試作を行った。

要約(英語): SON (Silicon On Nothing) structure is realized from vacuum annealing as well as from Joule heating.For the application of the SON structure,pressure sensors are achievingly fabricated.The applicability of the SON structure for batch processing is confirmed.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,588 Kバイト