P(VDF/TrFE)薄膜を用いたMEMS超音波センサの感度改善

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: PHS15037

グループ名: 【E】センサ・マイクロマシン部門 フィジカルセンサ研究会

発行日: 2015/07/02

タイトル(英語): Improvement of Sensitivity of MEMS Ultrasonic Sensor Using P(VDF/TrFE) Thin Films

著者名: 田中 恒久(大阪府立産業技術総合研究所),村上 修一(大阪府立産業技術総合研究所),宇野 真由美(大阪府立産業技術総合研究所),山下 馨(京都工芸繊維大学)

著者名(英語): Tsunehisa Tanaka(Technology Research Institute of Osaka Prefecture),Shuichi Murakami(Technology Research Institute of Osaka Prefecture),Mayumi Uno(Technology Research Institute of Osaka Prefecture),Kaoru Yamashita(Kyoto Institute of Technology)

キーワード: 超音波センサ|ＭＥＭＳ|ダイアフラム|薄膜|樹脂|強誘電性|Ultrasonic Sensor|MEMS|Diagram|Thin Film|Polymer|Ferroelectric

要約(日本語): P(VDF/TrFE)薄膜を用いたMEMS超音波センサを作製した。受信感度を向上させるために、ダイアフラム構造設計を新規に行い、作製プロセス開発、試作実験、特性評価を実施した。その結果、MEMS超音波センサの受信感度特性が５倍改善したので報告する。作製したセンサの共振周波数、Q値、受信感度は、89.2 kHz, 23 and -74 dBV (1 V/Pa = 0 dbV)である。

要約(英語): MEMS ultrasonic sensor was fabricated using the poly(vinylidene fluoride-trifluoroethylene)[P(VDF/TrFE)] copolymer thin films having multilayer diaphragm structures. For improvement of sensitivity of sensor, we developed new diaphragm structure. This new sensor was improved in sensitivity significantly, about 5 times higher than the conventional one. The resonant frequency, Q-value and sensitivity of MEMS ultrasonic new sensor was estimated to be on the order of 89.2 kHz, 23 and -74 dBV (1 V/Pa = 0 dbV), respectively.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,287 Kバイト