スパッタ成膜で作製したPZT薄膜の熱処理に伴う剥離の抑制に関する検討

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: PHS16016

グループ名: 【E】センサ・マイクロマシン部門 フィジカルセンサ研究会

発行日: 2016/06/30

タイトル(英語): Consideration about suppressing of delamination with post-annealing of PZT films formed by sputter deposition

著者名: 斎藤 彰人(金沢工業大学大学院),池永 訓昭(金沢工業大学)

著者名(英語): akihito saito(Kanazawa Institute of Technology),noriaki ikenaga(Kanazawa Institute of Technology)

キーワード: 圧電材料|スパッタリング|ＰＺＴ薄膜|結晶化|密着強度|Piezoelectric material|sputtering|PZT film|crystallization|adhesion strength

要約(日本語): 本研究では、スパッタリング成膜で作製したPZT薄膜の後熱処理に伴う密着強度の低下を抑制することを目的とする。PZT成膜中の基板温度と後熱処理後の密着強度の関係を明らかにした結果、基板温度を適切に選択することで後熱処理後の密着強度の低下を抑制することが可能であることを見出した。

要約(英語): This study is aimed to suppress the decrease of adhesion strength between the PZT film and the substrate with post-annealing for crystallization of PZT films made by sputtering deposition.The results of reveal the relationship between the adhesion strength after post-anneal and the substrate temperature during sputtering deposition, the decrease of adhesion strength is suppressed by configuring the appropriate substrate temperature.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,161 Kバイト