圧電ダイアフラム型超音波マイクロセンサ用PZT薄膜のゾル・ゲル仮焼成温度に対する残留応力評価

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: PHS16017

グループ名: 【E】センサ・マイクロマシン部門 フィジカルセンサ研究会

発行日: 2016/06/30

タイトル(英語): Residual stress of sol-gel derived PZT films pyrolyzed at various temperatures for highly sensitive diaphragm structures of ultrasonic microsensors

著者名: 塩見 丈(京都工芸繊維大学),山下 馨(京都工芸繊維大学),荒井 開人(京都工芸繊維大学),西海 太貴(京都工芸繊維大学),野田 実(京都工芸繊維大学)

著者名(英語): Jo Shiomi(Kyoto Institute of Technology),Kaoru Yamashita(Kyoto Institute of Technology),Kaito Arai(Kyoto Institute of Technology),Taiki Nishiumi(Kyoto Institute of Technology),Minoru Noda(Kyoto Institute of Technology)

キーワード: ＰＺＴ|残留応力|ダイアフラム|超音波センサ|座屈|PZT|residual stress|diaphragm|ultrasonic microsensor|buckling

要約(日本語): ダイアフラム型超音波センサは静的撓み形状が感度に大きく影響する。ゾル・ゲルPZT薄膜を用いた圧電センサにおいて，撓みを決定するPZTの残留応力を評価した。仮焼成温度による撓みへの影響が知られていたが，ダイアフラムが平坦となる強い応力領域では応力の情報が得られないため，今回はウェハの反りから評価した。その結果仮焼成温度の上昇とともに応力が低下し，400℃において適切な応力が得られることが示された。

要約(英語): We evaluated residual stress of PZT films, which affects the sensitivity of diaphragm-type of ultrasonic microsensors. The residual stress was calculated from buckling shape of the diaphragms and curvature of the wafers for sol-gel derived PZT films formed through various pyrolysis temperatures. The results showed that the stress decreased with raising the pyrolysis temperature and that 400°C-pyrolysis was suitable for the highly sensitive structure.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,594 Kバイト