パワーエレクトロニクス応用に向けたMOCVD法によるBi系酸化物薄膜の作製

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: PHS16053

グループ名: 【E】センサ・マイクロマシン部門 フィジカルセンサ研究会

発行日: 2016/11/25

タイトル(英語): Preparation of Bi-based Oxide Films by MOCVD Targeting Power Electronics Applications

著者名: 河合 伸哉(金沢工業大学),土屋 哲男(産業技術総合研究所),有沢 俊一(物質・材料研究機構),毛塚 博史(東京工科大学),露本 伊佐男(金沢工業大学),舘野 康史(フルウチ化学),バディカ ピーター(国立材料物理研究所),遠藤 和弘(金沢工業大学)

著者名(英語): Shinya KAWAI(Kanazawa Institute of Technology),Tetsuo TSUCHIYA(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology),Syunichi ARISAWA(National Institute for Materials Science),Hiroshi KEZUKA(Tokyo University of Technology),Isao TSUYUMOTO(Kanazawa Institute of Technology),Yasushi TATENO(Furuuchi Chemical Corporation),Peter BADICA(National Institute of Materials Physics),Kazuhiro Endo(Kanazawa Institute of Technology)

キーワード: パワーエレクトロニクス|ビスマス系銅酸化物|薄膜|ＭＯＣＶＤ法|抵抗温度係数|配向制御|Power Electronics|Bi-based Oxide|Thin Film|MOCVD Method|TCR|Orientation Control

要約(日本語): パワーエレクトロニクスのモジュールでは，高温領域における低い抵抗温度係数が求められている。現状では酸化ルテニウムがチップ抵抗体として使われているが実用における欠点もいくつかあり代替材料の開発が喫緊の課題となっている。我々はBi系銅酸化物の結晶構造の大きな異方性に着目し，有機金属化学気相成長法により配向性を制御した高品質な薄膜を作製し，パワーエレクトロニクスの抵抗材料としての可能性を調べた。

要約(英語): It has become an urgent issue to develop novel substitute materials for ruthenium oxides conventionally used as power-electronics chip-resistors. We have successfully prepared c-axis and non-c-axis oriented films of Bi-based oxide superconductors having large anisotropic structure by MOCVD. The temperature dependence of resistivity of these films was examined from the viewpoint of power-electronics applications.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,039 Kバイト