高圧水素ガス環境用Cr-N薄膜ひずみセンサおよび圧力センサ

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: PHS17020

グループ名: 【E】センサ・マイクロマシン部門 フィジカルセンサ研究会

発行日: 2017/06/30

タイトル(英語): Strain sensors and pressure sensors using Cr-N thin films for high pressure hydrogen gas

著者名: 丹羽 英二(電磁材料研究所),三上 浩(昭和測器)

著者名(英語): Eiji Niwa(Research Institute for Electromagnetic materials),Hiroshi Mikami(Showa measuring instruments Co.,Ltd.)

キーワード: 高圧|水素|Ｃｒ－Ｎ薄膜|ひずみセンサ|圧力センサ|ゲージ率|high pressure|hydrogen|Cr-N thin film|strain sensor|pressure sensor|gauge factor

要約(日本語): 近年、水素エネルギー社会の実現に向けた動きが加速しつつある中、水素環境下で用いるひずみセンサが販売されるに至ったが、ゲージ率は約2.5と小さい。そこで、高圧水素中で使用可能な高感度なひずみセンサの開発を目的として、ゲージ率が約14と大きいCr-N薄膜への高圧水素ガス環境下での水素の影響を調べた。その結果、Cr-N薄膜は水素の影響を受けないことが確認された。

要約(英語): We investigated the influence of hydrogen on Cr-N strain sensitive thin films, which have a gauge factor of about 14, to develop a high sensitive strain sensor for high pressure hydrogen gas. As a result, it was found that the thin film was not affected by hydrogen.

原稿種別: 日本語

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