CT過渡誤差を除去した飽和インダクタンス算出と瞬時電圧低下予測計算
CT過渡誤差を除去した飽和インダクタンス算出と瞬時電圧低下予測計算
カテゴリ: 研究会(論文単位)
論文No: PPR10030
グループ名: 【B】電力・エネルギー部門 保護リレ-システム研究会
発行日: 2010/08/31
タイトル(英語): Saturated Inductance Estimation by CT Output Correction and Instantaneous Voltage-Drop Prediction
著者名: 亀澤 朋将(株式会社 興電舎),井上 真二(株式会社 興電舎),長岡 直人(同志社大学),向野下 裕明(同志社大学)
著者名(英語): Kamesawa Tomoyuki(Kodensya Co.),Inoue Shinji(Kodensya Co.),Nagaoka Naoto(Doshisha University),Mukainoge Hiroaki(Doshisha University)
キーワード: 変圧器|CT周波数特性|飽和インダクタンス|EMTP|短絡インピーダンス|変圧器励磁突入電流抑制制御装置|Transformer|Frequency response of CT|Saturated inductance|EMTP|Short-circuit inductance|Transformer Inrush Current
要約(日本語): 変圧器加圧時に測定された励磁突入電流にはCT過渡誤差が含まれている。今回,CT過渡誤差除去演算手法を開発し,飽和インダクタンスの高精度算出が可能となり、更にこの手法の妥当性を検証する為に220V模擬送電線と「変圧器励磁突入電流抑制制御装置」との組合せでの「CT過渡誤差除去検証実験」を行った。また,従来の回路解析に広く用いられている変圧器等価回路を瞬時電圧低下解析に応用する際の問題点を明らかにする。
原稿種別: 日本語
PDFファイルサイズ: 1,694 Kバイト
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