1
/
の
1
PBII&D法によるRFスパッタ銅イオンを用いた参加銅成膜
PBII&D法によるRFスパッタ銅イオンを用いた参加銅成膜
通常価格
¥330 JPY
通常価格
セール価格
¥330 JPY
単価
/
あたり
税込
カテゴリ: 研究会(論文単位)
論文No: PPT0508
発行日: 2005/01/21
タイトル(英語): Preparation of copper oxide film using a sputter-based copper ion source in RF (13.56MHz)PBII&D
著者名: 中村 圭二 小野 浩之 行村 健 Xinxin Ma 佐々木 宗生()
著者名(英語): kenji nakamura Hiroyuki Ono Ken Yukimura Xinxin Ma Muneo sasaki()
キーワード: スパッタリング|イオン源|誘導結合型RFプラズマ|プラズマイオン注入堆積
要約(英語): 【A】基礎・材料・共通部門 パルスパワー研究会
原稿種別: 日本語
PDFファイルサイズ: 916 Kバイト
受取状況を読み込めませんでした
