バースト正弦波高電界によるHeLa 細胞へのアポトーシス誘導

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: PPT08058

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門　パルスパワー研究会

発行日: 2008/12/25

タイトル(英語): Apoptosis Induction by Intense Burst Sinusoidal Electric Fields

著者名: 光武 和典(熊本大学),野村 尚之(熊本大学),佐藤彰充 (熊本大学),壇 達也(熊本大学),勝木 淳(熊本大学),秋山 秀典(熊本大学)

著者名(英語): Kazunori Mitsutake(Kumamoto University),Naoyuki Nomura(Kumamoto University),Akimitsu Sato(Kumamoto University),Tatsuya Dan(Kumamoto University),Sunao Katsuki(Kumamoto University),Hidenori Akiyama(Kumamoto University)

キーワード: アポトーシス|フォスファチジルセリン|アネキシン V|ヨウ化プロピジウム|バースト正弦波高電界|タイムラプス観察|apoptosis|phosphatidylserine|annexin V|Propidium iodide|Intense Burst Sinusoid wave|Timeplapse obserbation

要約(日本語): 狭帯域周波数成分を持つ，バースト正弦波高電界（Intense Burst Sinusoidal Electric Field : IBSEF）を子宮頸がん細胞であるHeLaへ印加することで、その挙動を評価した。電界強度、周波数を一定とした中でIBSEFの印加時間を熱的影響が少ない200µsの場合と熱的影響がある10msと変え、与えるエネルギーを等しくした場合で比較しところ、細胞膜内部にあるPS移動に変化が見られた。

要約(英語): This paper describes phosphatidylserine (PS) translocation in HeLa cells induced by intense burst ofsinusoidal electric field (IBSEF). 200 kV/m, 50 MHz IBSEF with a burst duration of 0.2, 2 or 5 ms was appliedto HeLa cells. The apoptotic activity was dete

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 985 Kバイト