EUVリソグラフィのためのＺピンチ Xe DPP プラズマ光源に関する研究

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: PPT10023

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 パルスパワー研究会

発行日: 2010/02/23

タイトル(英語): Xe-based Z-pinch Discharged Produced Plasma (DPP) EUV Source for Lithography

著者名: 黄 斌(東京工業大学),滝本 泰大(東京工業大学),渡辺 正人(東京工業大学),堀田 栄喜(東京工業大学)

著者名(英語): Huang Bin(Tokyo Institute of Technology),Takimoto Yasuhiro(Tokyo Institute of Technology),Watanabe Masato(Tokyo Institute of Technology),Hotta Eiki(Tokyo Institute of Technology)

キーワード: EUV|xenon|plasma dynamics|pinhole image|photodiode

要約(日本語): EUVリソグラフィは次世代の半導体リソグラフィ技術として最も期待されてい る。我々はZピンチの動態を解析しました，X線CCDカメラとピンホールの画像を撮影しました，フォトダイオードとの極端紫外の信号を測定しました。

要約(英語): EUV Lithography is considered as the most promising technique for next generation lithography. We analyzed the pinch dynamics, took the pinhole images with an X-ray CCD camera and measured the EUV signal with a photodiode

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 3,005 Kバイト