SiC-JFET駆動用ゲート回路の開発

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: PPT10028

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 パルスパワー研究会

発行日: 2010/05/14

タイトル(英語): Development of gate drive circuit for silicon carbide JFET

著者名: 伊勢 慶一(岩手大学),田仲 泰(岩手大学),高橋 和貴(岩手大学),高木 浩一(岩手大学),和気 正芳(高エネルギー加速器研究機構),岡村 勝也(高エネルギー加速器研究機構),高山 健(高エネルギー加速器研究機構),江 偉華(長岡技術科学大学)

著者名(英語): Ise Keiichi(Iwate University),Tanaka Hiroshi(Iwate University),Takahashi Kazunori(Iwate University),Takaki Koichi(Iwate University),Wake Masayoshi(High Energy Accelerator Research Organization),Okamura Katsuya(High Energy Accelerator Research Organization),Takayama Ken(High Energy Accelerator Research Organization),Jiang Weihua(Nagaoka University of Technology)

キーワード: シリコンカーバイド－ＪＦＥＴ|ゲート回路|silicon carbide junction field-effect transistor| gate circuit

要約(日本語): 本論文ではシリコンカーバイド-JFETを連続動作させるためのゲート回路の製作を行った。さらにそれを用いてシリコンカーバイド-JFETのスイッチング特性の評価も行っている。

要約(英語): A gate circuit was developed for continuous drive of a silicon carbide(SiC) junction field-effect　transistor(JFET) and the switching　characteristics of the SiC-JFET were investigated　experimentally.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,298 Kバイト