Xeガスジェット型Zピンチプラズマを用いた半導体リソグラフィ用EUV光源に関する研究

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: PPT10055

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 パルスパワー研究会

発行日: 2010/08/06

タイトル(英語): Xe-based gas jet type Z-pinch DPP EUV source for lithography

著者名: 黄 斌(東京工業大学大学院),滝本 泰大(東京工業大学大学院),渡辺 正人(東京工業大学大学院),堀田 栄喜(東京工業大学大学院)

著者名(英語): Huang Bin(Tokyo Institute of Technology),Takimoto Yasuhiro(Tokyo Institute of Technology),Watanabe Masato(Tokyo Institute of Technology),Hotta Eiki(Tokyo Institute of Technology)

要約(日本語): ＥＵＶリソグラフィは次世代リソグラフィ技術の最も有望な候補だと考えられている。しかし、現在も解決されていない問題がいくつか存在する。今回はＸｅガスジェットＺピンチプラズマを用いたＥＵＶ光源について、フォトダイオード（AXUV20HS1）を使用し、様々な実験条件下でＥＵＶ出力の測定を行った。また、ノマルスキー干渉計測法を用いて、電子密度分布の測定も行った。そこで、ピンチ時の電子密度の値が１０＾１8ｃｍ＾－３オーダーであることが判明した。

要約(英語): EUV lithography is considered as the most promising candidate for next generation lithography technique; although there are still several issues that have not been solved. Based on a Z-pinch gas jet type Xe DPP EUV source, we employed a AXUV20HS1 photodiode to measure the EUV output under various experimental condition. Besides, the electron density profile was also measured with a Nomarski interferometer.Pinch electron density is found to be at the order of 18 per cubic centimeter.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,072 Kバイト