固体ソースプラズマエッチング

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: PPT10089

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 パルスパワー研究会

発行日: 2010/12/16

タイトル(英語): Solid Source Plasma Etching

著者名: 松谷 晃宏(東京工業大学),大槻 秀夫(サムコ),小山 二三夫(東京工業大学)

著者名(英語): Matsutani Akihiro(Tokyo Institute of Technology),Ohtsuki Hideo(Samco Inc.),Koyama Fumio(Tokyo Institute of Technology)

キーワード: プラズマ|エッチング|固体ソース|ヨウ素|水蒸気プラズマ|フッ化キセノン|plasma|etching|solid source|iodine|H2O|XeF2

要約(日本語): 固体ソースプラズマを用いたドライエッチング技術について紹介する。プロセスチャンバー内に，固体ヨウ素，粉末塩化ヨウ素，固体の水（氷）を設置し，それらの昇華やスパッタ効果を利用してガス供給源としたプラズマにより，InP，GaAsおよびCaF2のドライエッチングを行い，良好な結果が得られた。また，固体XeF2からの昇華ガスを利用してXeF2プラズマを用いたSiのドライエッチングについても良好な結果を得たので報告する。

要約(英語): We propose novel plasma etching processes using solid I2, powder ICl3, solid H2O and solid XeF2 as gas sources. In addition, we have demonstrated the dry etching of InP, GaAs, CaF2 and Si by the solid source plasma.

原稿種別: 日本語

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