低圧高周波プラズマCVD法におけるプラズマクリーニング技術からのプラズマ基礎特性の解明

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: PPT10117

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 パルスパワー研究会

発行日: 2010/12/17

タイトル(英語): Clarification of Plasma Basic Characteristics for Plasma Surface Cleaning Techniques for Low-pressure High-frequency Plasma Chemical Vapor Deposition Method

著者名: 上杉 大志郎(宮崎大学),清田 佑一(宮崎大学),川野 美延(宮崎大学),湯地 敏史(宮崎大学),中林 健一(宮崎大学)

著者名(英語): Uesugi Daishiro(University of Miyazaki),Kiyota Yuichi(University of Miyazaki),Kawano Minobu(University of Miyazaki),Yuji Toshifumi(University of Miyazaki),Nakabayashi Kenichi(University of Miyazaki)

キーワード: 低圧|プラズマＣＶＤ|Ｘ線光電子分光|接触角|Ｏラジカル|Ａｒ＋Ｏ２混合ガス|Low-pressure|Plasma CVD|X-ray photoelectron spectroscopy|Contact angle|O radical|Ar+O2 mixture gas

要約(日本語): これまで著者らは，フィルム材を用いたフレキシブル太陽電池薄膜材料の開発を主な目的として，低コストで低温度のプラズマによるフレキシブル型太陽電池薄膜材料の作製に取り組んでいる。そこで本報告では，低圧プラズマCVD装置による太陽電池薄膜材料の作製を主な目的として，低圧プラズマCVD装置の基礎的な特性を明らかにするために，プラズマ中のラジカル生成状態について，材料の表面処理効果から明らかにしたので報告する。

要約(英語): We are developing the production process device of thin-film material for the flexible solar cells using the high-frequency plasma chemical vapor deposition (CVD) method. In order to clarify the characteristics of the device, plasma treatment is applied on the Si wafer surface and basic characteristic of plasma is found by the analysis of the B doped p-type (100) Si wafer surface using X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and contact angle measuring gauge.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 907 Kバイト