立方晶窒化ホウ素膜のプラズマ合成と電界放出特性

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: PPT11082

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 パルスパワー研究会

発行日: 2011/12/15

タイトル(英語): Plasma synthesis and field emission properties of cubic boron nitride films

著者名: 堤井 君元(九州大学),中隈 俊就(九州大学),松本 精一郎物質・材料研究機構(物質・材料研究機構,九州大学)

著者名(英語): TEII KUNGEN(Kyushu University),NAKAKUMA TOSHINARI(Kyushu University),MATSUMOTO SEIICHIRONational Institute for Materials Science (National Institute for Materials Science,Kyushu University)

キーワード: 窒化ホウ素|プラズマＣＶＤ|イオン衝撃エネルギー|電界放出|boron nitride|plasma CVD|ion bombardment energy|field emission

要約(日本語): ワイドギャップ材料の立方晶窒化ホウ素膜を、低圧プラズマCVD法によって合成し、その電界放出特性を調べた。

要約(英語): We deposited wide-gap cubic boron nitride films by low-pressure plasma-enhanced CVD and examined their field emission properties.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 810 Kバイト