角形磁石を用いた回転型十字磁化プラズマスパッタリング装置の開発と銅ターゲット均一利用

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: PPT16056

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 パルスパワー研究会

発行日: 2016/10/20

タイトル(英語): Development of cross - shaped magnetized plasma sputtering apparatus by rotating square - shaped magnets and uniform utilization of Cu target

著者名: 井手 翼(佐賀大学),中村 優太朗(佐賀大学),大津 康徳(佐賀大学),田原 竜夫(産業技術総合研究所九州センター),本村 大成(産業技術総合研究所九州センター)

著者名(英語): Tsubasa Ide(Saga University),Yutaro Nakamura(Saga University),Yasunori Ohtsu(Saga University),Tatsuo Tabaru(AIST Kyushu),Taisei Motomura(AIST Kyushu)

キーワード: スパッタリング|十字磁化プラズマ|ターゲット利用率|侵食|sputtering|cross - shaped magnetized plasma|target utilization|erosion

要約(日本語): スパッタリング法は、主にスマートフォンのタッチパネルに使用されている金属薄膜や透明電極の膜を成膜する方法として広く用いられる。従来はターゲットが不均一に使用され、その利用率は20～30％と低く、高コストになっている。本研究では、十字磁化プラズマを生成し、それを回転することでターゲット利用率の改善を目的としたスパッタリング装置の開発を検討している。これまでの成果としてターゲット利用率80～90％を達成した。

要約(英語): Sputtering is widely used as a method for mainly forming transparent conductive film used in the touch panel of smart phones. Conventional, sputtering target is unevenly used, and the utilization rate is as low as 20-30%. In this study, we have developed novel sputtering apparatus for the purpose of improving the target utilization.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,464 Kバイト