ループ型誘導熱プラズマを用いたSi基板の一様2次元酸化に対する圧力の影響

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: PPT16077

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 パルスパワー研究会

発行日: 2016/10/21

タイトル(英語): Effect of Pressure on Uniform Two-Dimensional Oxidation of Si Substrate using Loop Type of Inductively Coupled Thermal Plasmas

著者名: 土谷 拓光(金沢大学),丸山 裕司(金沢大学),シュアン ティアル マイ カイ(金沢大学),田中 康規(金沢大学),上杉 喜彦(金沢大学),石島 達夫(金沢大学),幸本 徹哉(シー・ヴィ・リサーチ),川浦 廣(シー・ヴィ・リサーチ)

著者名(英語): Takumi Tsuchiya(Kanazawa University),Yuji Maruyama(Kanazawa University),Mai Kai Suan Tail(Kanazawa University),Yasunori Tanaka(Kanazawa University),Yoshihiko Uesugi(Kanazawa University),Tatsuo Ishijima(Kanazawa University),Tetsuya Yukimoto(CV Research Corporation),Hiroshi Kawaura(CV Research Corporation)

キーワード: 誘導熱プラズマ|ループ型|一様性|高速酸化|大面積処理|基板スライド|Inductively Coupled Thermal Plasma|Loop Type|Uniformity|Rapid Oxidation|Large Area Processing|Substrate Slide System

要約(日本語): 本論文では，ループ型Ar/O2誘導熱プラズマ(ICTP)を用いた2インチSi基板の2次元酸化試験の結果を報告する。ループ型ICTP装置は，熱プラズマによる大面積プロセスを目指し，筆者らが独自開発したものである。ループ型ICTPの一部を基板上に生成・維持した状態で基板を掃引させることで，基板全体に熱プラズマを照射できる。今回，圧力が酸化膜の一様性に与える影響を調査した。その結果，圧力を上げることで一様性が向上することが確認できた。

要約(英語): This paper describes experimental results on 2D rapid surface oxidation for 2-inch Si substrates using a loop type of inductively coupled thermal plasma (loop-ICTP) torch. The loop-ICTP torch has originally been developed for large-area materials processing. Results indicated that increasing pressure raises the uniformity of 2D oxidation of the Si substrate surface using Ar/O2 loop-ICTP.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 2,545 Kバイト