基板近傍からCH4/H2ガスを導入したAr誘導熱プラズマによる単結晶ダイヤモンド膜成長の圧力依存性

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: PPT16078

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 パルスパワー研究会

発行日: 2016/10/21

タイトル(英語): Pressure Influence on Monocrystalline Diamond Growth using Ar Inductively Coupled Thermal Plasma with CH4/H2 Gas Injection near the Substrate.

著者名: 別院 利城(金沢大学),荒井 隆志(金沢大学),田中 康規(金沢大学),上杉 喜彦(金沢大学),石島 達夫(金沢大学),川浦 廣(シー・ヴィ・リサーチ)

著者名(英語): Toshiki Betsuin(Kanazawa University),Takashi Arai(Kanazawa University),Yasunori Tanaka(Kanazawa University),Yoshihiko Uesugi(Kanazawa University),Tatsuo Ishijima(Kanazawa University),Hiroshi Kawaura(CV Research Corporation)

キーワード: 誘導熱プラズマ|単結晶ダイヤモンド|熱解離|化学気相蒸着法|圧力依存性|Inductively coupled thermal plasma|Monocrystalline diamond|Thermal dissociation|Chemical vapor deposition|Pressure dependence

要約(日本語): 本論文では，Ar誘導熱プラズマ下流に単結晶ダイヤモンド基板を設置し，その近傍から原料ガスCH4/H2を導入することで，単結晶ダイヤモンド膜の成長を検討した。具体的には，ダイヤモンド基板ホルダにCH4/H2ガス供給機構を組み込んだ。今回，熱プラズマ照射による単結晶ダイヤモンド成長に対して圧力依存性を調査した。その結果，圧力を調整することで，単結晶ダイヤモンド基板表面様相および堆積レートが大きく変化することを確認した。

要約(英語): We investigated monocrystalline diamond substrate growth by Ar inductively coupled thermal plasma (ICTP) with CH4/H2 gas injection to the vicinity of the substrate. In this paper, effect of pressure in the ICTP torch was studied. Results indicated that adjusting pressure affects the aspect of diamond substrate surface and deposition rate.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 3,943 Kバイト