?耐圧SiC-MOSFETの電気的特性評価と誘導性パルスパワー電源への応?

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: PPT17057

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 パルスパワー研究会

発行日: 2017/10/25

タイトル(英語): Evaluation of electrical characteristics of high-voltage SiC-MOSFET and development of inductive energy storage pulsed power generator

著者名: 長谷川 裕樹(岩手大学),高橋 克幸(岩手大学),高木 浩一(岩手大学),福田 憲司(国立研究開発法人　産業技術総合研究所　先進パワーエレクトロニクス研究センター)

著者名(英語): Yuki Hasegawa(Iwate University),Katsuyuki Takahashi(Iwate University),Koichi Takaki(Iwate University),Kenji Fukuda(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Advanced Power Electronics Research Center)

キーワード: 炭化ケイ素|ＭＯＳＦＥＴ|パルスパワー|silicon carbide|MOSFET|pulsed power

要約(日本語): 耐圧3.3kV級シリコンカーバイドMOSFETの電気的特性を評価し，誘導性エネルギー蓄積方式 (IES) パルス電源を開発した。印加電圧80Vのとき，最大パルス電流165Aと，ターン・オン時間31nsとターン・オフ時間22nsが得られた。オン抵抗は室温で80mΩが得られ，素子温度の上昇とともに増加した。IESパルス電源では，充電電圧50V，充電時間3μsで最大出力電圧9.8kV，パルス半値幅76nsが得られた。

要約(英語): Electrical characteristics of a silicon carbide MOSFET with blocking voltage of 3.3kV were evaluated and inductive energy storage (IES) pulsed power generator was developed. The maximum pulsed current of 165A with a input voltage 80V, the turn-on time of 31ns and turn-off time of 22ns were obtained.On-resistance of 80mΩ was obtained at room temperature and increases with the device temperature. Stable operation was observed up to the device temperature of 200℃. With the IES power suppluy, the maximum output of 9.8kV and pulse width of 76ns at the full-width-at-half-maximum were obtained with a charging voltage of 50V and a charging time of 3μs.

原稿種別: 日本語

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