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プラズマベースイオン注入法を用いてシリコン中に注入した窒素の高分解RBS デプスプロファイル

プラズマベースイオン注入法を用いてシリコン中に注入した窒素の高分解RBS デプスプロファイル

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カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: PST05001

発行日: 2005/03/03

タイトル(英語): High resolution RBS depth profile of nitrogen in Si for sterilization process by PBII

著者名: 田中 武 薮 康章 谷島 源太 池本 努 高木 俊宜 渡邊 悟志(広島工業大学,創研工業)

著者名(英語): Takeshi Tanaka Yasuaki Yabu Genta Tanishima Tsutomu Ikemoto Takeru Nakashima Toshinori Takagi(Hiroshima Institute of Technology) Satoshi Watanabe(Soken Industries Co. Ltd)()

要約(英語): 【A】基礎・材料・共通部門 プラズマ研究会

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 885 Kバイト

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