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正バイアス電極を持つ間欠ジルコニウムPBII&D法による酸化ジルコニウム膜生成

正バイアス電極を持つ間欠ジルコニウムPBII&D法による酸化ジルコニウム膜生成

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カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: PST06087

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 プラズマ研究会

発行日: 2006/11/10

タイトル(英語): Oxidation zirconium film generation with intermittent zirconium PBII&D method with positive bias electrode.

著者名: 明石 周平(同志社大学),行村 建(同志社大学),須田 善行(北海道大学)

著者名(英語): Akashi Syuuhei(Department of Electrical Engineering,Doshisha Univesity,1-3 Tatara-Miyakodani,kyotanabe,Kyoto 610-0321,Japan),Yukimura Ken(Department of Electrical Engineering,Doshisha Univesity,1-3 Tatara-Miyakodani,kyotanabe,Kyoto 610-0321,Japan),Suda Yoshiyuki(Hokkaidou University)

キーワード: プラズマイオン注入・堆積|ジルコニア|陰極アーク|XPSスペクトル

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,040 Kバイト

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