束縛条件付き補間プロファイル法による一次元荷電粒子流の流体的解析
束縛条件付き補間プロファイル法による一次元荷電粒子流の流体的解析
カテゴリ: 研究会(論文単位)
論文No: PST07077
グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 プラズマ研究会
発行日: 2007/12/21
タイトル(英語): One-Dimensional Charged Particle Flow Analysis using the Constrained Interpolation Profile Scheme
著者名: 東 欣吾(兵庫県立大学)
著者名(英語): Kingo Azuma(University of Hyogo)
キーワード: 束縛条件付補間プロファイル法|局所補間微分オペレータ法|荷電粒子流|プラズマイオンプロセス
要約(日本語): プラズマイオンプロセスではシース領域においてプラズマ密度の勾配が非常に大きく、局所的な高密度勾配は電位分布を介して全領域に影響を及ぼすため、高い密度勾配に対応できる計算法が数値解析には必要である。束縛条件付補間プロファイル法(CIP法)は密度勾配を保ったまま流体を移流させることが可能な計算法である。CIPスキームとIDOスキームを用いて構築して構築した一次元の荷電粒子流解析コードを用いると真空二極管(vacuum diode)の高速過渡応答を記述できることが確認できた。
要約(英語): The gradient of plasma density is very high in sheath area of plasma ion processes. A local high density- gradient exert influences the whole area through the electrical potential distribution. Therefore, the computation method that is able to correspond
原稿種別: 日本語
PDFファイルサイズ: 406 Kバイト
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