低誘電率薄膜のプラズマ窒化における誘電体メッシュの効果

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: PST07083

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門　プラズマ研究会

発行日: 2007/12/22

タイトル(英語): Ammonia plasma nitridation of low dielectric constant film MSQ(methylsilsesquioxane)

著者名: 及川 勇太(岩手大学),下河原 孝夫(岩手大学),伊藤 康裕(岩手大学),向川 政治(岩手大学),高木 浩一(岩手大学),藤原 民也(岩手大学)

著者名(英語): Yuta Oikawa(Iwate University),Takao Shimokawara(Iwate University),Yasuhiro Ito(Iwate University),Seiji Mukaigawa(Iwate University),Koichi Takaki(Iwate University),Tamiya Fujiwara(Iwate University)

キーワード: プラズマ窒化|MSQ|low-k|絶縁物メッシュ|銅イオンドリフト|アンモニア|ラングミュアプローブ|XPS|AFM

要約(日本語): 次世代ULSIに用いられる低誘電率薄膜（low-k膜）の表面の高周波プラズマ窒化を行うプロセスにおいて、ダメージ軽減のため、誘電体メッシュを導入した。アンモニアプラズマの電子温度・電子密度の測定、および薄膜の表面分析を行い、アンモニアプラズマ処理における誘電体メッシュの効果を検証した。誘電体メッシュの帯電や、メッシュによるデバイ遮蔽により、薄膜のダメージは軽減し、薄膜の表面上に窒化層が形成された。

要約(英語): We studied the NH3 plasma treatment with dielectric mesh on the Low-k surface. Ammonia plasma treatment of Methylsilsesquioxiane(MSQ) low dielectric films was conducted by using RF(13.56MHz) discharge plasma, and nitride layer of MSQ surface was formed. T

原稿種別: 日本語

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