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表面波プロセスプラズマ装置を用いたナノクリスタルダイヤモンド薄膜合成

表面波プロセスプラズマ装置を用いたナノクリスタルダイヤモンド薄膜合成

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カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: PST07086

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 プラズマ研究会

発行日: 2007/12/22

タイトル(英語): Synthesis of Nanocrystalline Diamond Films using Surface Wave exited Plasma CVD Apparatus

著者名: キム ドンミン(東京大学),桂井 誠(放送大学),大崎 博之(東京大学)

著者名(英語): Dongmin Kim(The University of Tokyo),Katsurai Makoto(The Open University of Japan),Hiroyuki Ohsaki(The University of Tokyo)

キーワード: 表面波プラズマ|プラズマCVD|ナノクリスタルダイヤモンド薄膜|ネガティブDCバイアス|プラズマポテンシャル|ラマン分光法|X線回折

要約(日本語): 円型表面波プロセスプラズマ装置を用いて,表面波の発生領域に入れた導体電極にネガティヴDCバイアスを印加することでバルクプラズマ領域でのプラズマポテンシャルを制御することができた.そして,30mTorrのガス圧力,約590℃の基板温度の条件で,バイアス電圧を-80Vから-170Vまで変えながら,ダイヤモンド薄膜合成の実験を行った.合成された薄膜は,Kim等によって行われた先行実験より低い基板温度と前処理を行っていない基板において,プラズマポテンシャルと基板温度がダイヤモンド薄膜合成に与える影響を調べるために

要約(英語): The plasma space potential of bulk plasma was controlled by introducing a negative DC bias voltage to the metal plate inserted in the upper surface plasma region in a Ring Dielectric Line type Surface Wave exited Plasma apparatus (RDL-SWP). Preliminary ex

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 555 Kバイト

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