低誘電率薄膜（ＭＳＱ）のアンモニアプラズマ窒化と誘電体メッシュの効果

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: PST08086

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門　プラズマ研究会

発行日: 2008/12/19

タイトル(英語): Ammonia plasma nitridation of low dielectric constant film MSQ(methylsilsesquioxane)

著者名: 及川 勇太向川政治＊高木浩一藤原民也(岩手大学)

著者名(英語): Yuta Oikawa(Iwate University),Seiji Mukaigawa(Iwate University),Koichi Takaki(Iwate University),Tamiya Fujiwara(Iwate University)

キーワード: アンモニアプラズマ| 窒化，MSQ，low-k，誘電体メッシュ，XPS| 分光エリプソメトリammonia plasma| nitridation| MSQ| low-k| dielectric mesh| XPS| Spectroscopic ellipsometry

要約(英語): We studied the NH3 plasma treatment with dielectric mesh on the Low-k surface. Ammonia plasma treatment of Methylsilsesquioxiane(MSQ) low dielectric films was conducted by using RF(13.56MHz) discharge plasma, and nitride layer of MSQ surface was formed. T

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 719 Kバイト