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高品質光安定a-Si:H薄膜作製用マルチホロー放電における電子密度の空間分布

高品質光安定a-Si:H薄膜作製用マルチホロー放電における電子密度の空間分布

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カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: PST09001

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 プラズマ研究会

発行日: 2009/06/12

タイトル(英語): Spatial profiles of electron density in multi-hollow discharges for depositing highly stable a-Si:H thin films of high quality

著者名: 古閑一憲(九州大学),佐藤宙(九州大学),川嶋勇毅(九州大学),中村誠ウィリアム(九州大学),白谷正治(九州大学)

著者名(英語): Kazunori Koga|Hiroshi Sato|Yuuki Kawashima|Masaharu Shiratani

キーワード: 水素化アモルファスシリコン|光劣化|マルチホロー放電プラズマCVD|クラスタ|周波数シフトプローブ|Hydrogenated amorphous silicon|light induced degradation|multi-hollow discharge plasma CVD|cluster|frequency shift probe

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 451 Kバイト

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