高アスペクト比シリコンナノニードルの作製

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: PST10007

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 プラズマ研究会

発行日: 2010/05/07

タイトル(英語): A novel method for fabrication of a high-aspect-ratio Si nano-needle

著者名: 中村 純(ヤマハ株式会社),伊賀 友樹(科学技術振興機構),服部 敦夫(ヤマハ株式会社),樋口 行平(科学技術振興機構),前中 一介(兵庫県立大学大学院・科学技術振興機構)

著者名(英語): Jun Nakamura(Yamaha Corporation),Yuki Iga(Japan science and technology agency),Atsuo Hattori(Yamaha Corporation),Kohei Higuchi(Japan science and technology agency),Kazusuke Maenaka(Graduate School of Engineering,University of Hyogo,Japan science and technology agency)

キーワード: シリコン|プラズマエッチング|ウェットエッチング|微細構造|犠牲酸化|針|silicon|plasma etching|wet etching|micro structure|sacrificial oxidization|needle

要約(日本語): Si基板にサブミクロンの直径で高アスペクト比の針形状を作製する新しい手法を開発した。Si基板に異方性プラズマエッチングを用いて針の元となる柱構造を作り、その後にSiの熱酸化とBHFによる酸化膜除去を行うことで、直径0.2um以下、高さ15um、先端半径50nm以下のナノニードルを作製した。このプロセスは特殊な装置を必要とせず、針の高さや太さの制御が容易という特徴を持つ。

要約(英語): A high-aspect-ratio Si needle with a submicron diameter has been fabricated by a novel method, combined anisotropic plasma etching and sacrificial oxidization. The fabricated Si needle has a diameter of below 0.2 um, a height of 15 um, and a tip radius of below 50 nm. This process can precisely control the height and diameter of the needle.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 2,027 Kバイト