酸化物電極やホロー構造電極による容量結合プラズマの高密度化

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: PST10084

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 プラズマ研究会

発行日: 2010/12/16

タイトル(英語): Production of high-density capacitively coupled plasma with oxide or hollow electrodes

著者名: 大津 康徳(佐賀大学大学院工学系研究科),川崎 裕次郎(佐賀大学大学院工学系研究科),三沢 達也(佐賀大学大学院工学系研究科)

著者名(英語): Yasunori Ohtsu(Department of Electrical and Electronic Enginnering,Graduate School of Science and Enginnering,Saga University),Yujiro Kawasaki(Department of Electrical and Electronic Enginnering,Graduate School of Science and Enginnering,Saga University),Tatsuya Misawa(Department of Electrical and Electronic Enginnering,Graduate School of Science and Enginnering,Saga University)

キーワード: 容量結合プラズマ|２次電子放出|ホロー陰極効果|Capacitively coupled plasma|Secondary electron emission|hollow cathode effect

要約(日本語): 容量結合プラズマ(CCP)はその構造が簡単であり、メンテナンスが容易であるため、現在でも半導体のエッチングや機能性薄膜合成のプラズマ源として広く用いられている。しかしながら、プラズマ密度が10^8～10^9cm^-3程度と低密度であるため、処理速度が遅いことが課題となっている。本論文では、２次電子放出係数の高い電極材料を用いることやホロー陰極構造にすることで、CCPの高密度化を検討した。それぞれを用いることで、10^10cm^-3以上の高密度プラズマを生成することができた。

要約(英語): Capacitively coupled plasma (CCP) is the most familiar in the various processing plasmas because its stricture is very simple and its device is almost maintenance-free. However, the plasma density is an order of magnitude of 10^8 -10^9 cm^-3 so that the process rate is very low. In this paper, the influences of electrode material and hollow electrode on plasma density of CCP have investigated. The results revealed that the plasma-density higher than 10^10cm^-3 was attained by high secondary-electron-emission electrode materials and various typed hollow electrodes.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 676 Kバイト