Low temperature growth of AlN thin film by pulse laser deposition in nitrogen ambient

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: PST10095

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 プラズマ研究会

発行日: 2010/12/17

タイトル(英語): Low temperature growth of AlN thin film by pulse laser deposition in nitrogen ambient

著者名: 王 植平(富山大学),伊藤 弘昭(富山大学),升方 勝己(富山大学)

著者名(英語): Wang Zhiping(Univ. of Toyama),Ito Hiroaki(Univ. of Toyama),Masugata Katsumi(Univ. of Toyama)

キーワード: 窒化アルミニウム|パルスレーザー堆積|薄膜|Aluminum nitride|pulse laser deposition|thin film

要約(日本語): パルスレーザー堆積法を用いて六方晶系窒化アルミニウム(AlN)薄膜をシリコン基板上に成膜させた。実験は基板温度350℃に設定して、窒素ガス圧力を真空から 6 Paの範囲で変化させてAlN薄膜の特性をXRDとFTIR等を用いて評価を行った。その結果、窒素ガス0.2 Paのとき、AlN薄膜は単結晶となり、表面粗さが最も小さくなった。

要約(英語): Hexagonal aluminum nitride(AlN) thin films were grown on Si(100) substrates by pulse laser deposition(PLD). All the samples were prepared at a low substrate temperature of 350℃ and under various nitrogen pressures, ranging from vacuum up to 6 Pa. Formation of AlN was confirmed by XRD and FTIR measurements. Film deposited at 0.2 Pa was found to be single-crystal and wit lowest roughness.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 798 Kバイト