SiC-JFETを用いた誘導加速シンクロトロン用高速・高電圧 スイッチング電源の開発

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: PST10124

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 プラズマ研究会

発行日: 2010/12/18

タイトル(英語): Development of a MHz High Voltage Switching Pulse Modulator Using a SiC-JFET for an Induction Synchrotron

著者名: 伊勢 慶一(岩手大学),高木 浩一(岩手大学),和気 正芳(高エネルギー加速器研究機構),岡村 勝也(高エネルギー加速器研究機構),高山 健(高エネルギー加速器研究機構),江 偉華(長岡技術科学大学),大沢 裕(サンエー)

著者名(英語): Ise Keiichi(Iwate University),Takaki Koichi(Iwate University),Wake Masayoshi(High Energy Accelerator Research Organization),Okamura Katsuya(High Energy Accelerator Research Organization),Takayama Ken(High Energy Accelerator Research Organization),Jiang Weihua(Nagaoka University of Technology),Oosawa Yutaka(SUN-A Corporation)

キーワード: スイッチング電源|ＳｉＣ－ＪＦＥＴ|誘導加速シンクロトロン|Switching power supply|SiC-JFET|induction synchrotron

要約(日本語): SiC-JFETは誘導加速シンクロトロンと呼ばれる新しい加速器の次世代のスイッチング電源用素子として注目されている。この素子は高電圧，大電流でかつ，MHz級のスイッチングが要求されている。そこで本研究では，実際にSiC-JFETを1 kV，1 MHzで連続動作させ，その際のスイッチング特性の評価を行った。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,955 Kバイト