Out-of-plane growth behavior of aluminum nitride film on amorphous substrate by pulsed laser deposition

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: PST11024

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 プラズマ研究会

発行日: 2011/05/28

タイトル(英語): Out-of-plane growth behavior of aluminum nitride film on amorphous substrate by pulsed laser deposition

著者名: 王 植平(富山大学),伊藤 弘昭(富山大学),升方 勝己(富山大学),森本 章治(金沢大学)

著者名(英語): Wang Zhiping(Univ. of Toyama),Ito Hiroaki(Univ. of Toyama),Masugata Katsumi(Univ. of Toyama),Morimoto Akiharu(Kanazawa Univ.)

キーワード: 窒化アルミニウム|パルスレーザー堆積法|alminum nitride|pulsed laser deposition

要約(日本語): パルスレーザー堆積法を用いてアモルファスシリコン基板上に窒化アルミニウム薄膜の生成及び特性、特に結晶の配向、堆積率、表面荒さなどの窒素ガス圧依存性を調べた。窒素の封入圧力の増加とともに薄膜の結晶配向が(002)から(101)、そして最終的には(100)になった。

要約(英語): Highly self-oriented aluminum nitride films were grown directly on natively-oxidized Si(100) substrate by pulse laser deposition in nitrogen environment. The evolution of preferred orientation, depositin rate and surface foughness with changing nitrogen pressure was studied.The AlN preferred orientation was changed from (002) to (101) with increasing the N_2 pressure. An amorphous AlN starting layer was observed between AlN and amorphous native oxide layer. RMS surface roughness decreases wih incresing N_2 pressure. Such different behavious were discussed int term of gas adsorption inhibition model and confinement of laser plume.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 3,927 Kバイト