イオンビームによる半導体や絶縁物表面の平坦化

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: PST11073

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 プラズマ研究会

発行日: 2011/12/15

タイトル(英語): Ion-Assisted Surface Smoothing of Semiconducting and Insulating Materials

著者名: 富田 和成(茨城大学),増子 冬馬(茨城大学),佐藤 直幸(茨城大学),池畑 隆(茨城大学)

著者名(英語): Masanari Tomita(Ibaraki University),Touma Mashiko(Ibaraki University),Naoyuki Sato(Ibaraki University),Takashi Ikehata(Ibaraki University)

キーワード: イオンビーム|平坦化|入射角|絶縁物処理|デュアルプラズマ|帯電中和|Ion beam|Smoothing|Incidence angle|Insulator process|Dual plasma|Charge neutralization

要約(日本語): 近年，絶縁性材料に対するプラズマ表面処理のニーズが高まっている。しかし，絶縁性材料の帯電は，表面処理のためのプラズマの適用性を制限する。我々は，表面を帯電させることなく，エネルギー制御された直流のイオンビームにより絶縁性材料を処理できる，デュアルプラズマを提案している。本論文では，デュアルプラズマの概念と発生，ガラス基板のエッチング実験の結果、並びに表面平坦化への応用について報告する。

要約(英語): Surface treatment of insulator materials has growing needs recently. However, the accumulation of charge on the insulator surface limits the applicability of plasma methods for insulator processing. We are proposing the dual-plasma process that enables for insulator samples to be treated by an energy-controlled.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,307 Kバイト