シャンティングアークプラズマの半導体制御及びダブルプローブ計測

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: PST11075

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 プラズマ研究会

発行日: 2011/12/15

タイトル(英語): Control of Shunting arc plasma by IGBT modulator and its double probe measurement

著者名: 三河 遼太(岩手大学),高橋 和貴(岩手大学),高木 浩一(岩手大学),行村 建(産業技術総合研究所)

著者名(英語): Ryota Mikawa(Iwate University),Kazunori Takahashi(Iwate University),Koichi Takaki(Iwate University),Ken Yukimura(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology)

キーワード: シャンティングアーク|ダブルプローブ|イオン密度，|shunting arc|double probe|ion density

要約(日本語): 本研究では, 高圧用高速スイッチングトランジスタを用いて, シャンティングアーク放電の電流制御を試みた。極板間の電圧電流波形から, シャンティングアークプラズマの発生が確認され, 電流波形は大電流の方形波パルスとなった。発生したプラズマ中のイオン密度をダブルプローブ法により計測した結果, プラズマ源からの距離の増大による減衰および,　動作気圧による密度の変化が確認された。

要約(英語): A shunting arc plasma was produced with controlling pulse-width using an IGBT switch. The shunting arc plasma was successfully produced and the waveforms of the arc current showed a rectangular shape having 30 us in pulse width. The ion density measurement using a double probe method showed that the ion density in produced plasma decayed with distance from the carbon rod and changed with increment of gas pressure.

原稿種別: 日本語

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