SnO2系フルスペクトル透明導電膜

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: PST13002

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 プラズマ研究会

発行日: 2013/03/15

タイトル(英語): SnO2-based full spectrum transparent conductive thin films

著者名: 長谷川 哲也(東京大学,神奈川科学技術アカデミー),中尾 祥一郎(神奈川科学技術アカデミー)

著者名(英語): Hasegawa Tetsuya(Tokyo Univ.,JST-CREST),Nakao Shoichiro(JST-CREST)

キーワード: 透明導電膜|赤外透明性|高移動度|酸化スズ|パルスレーザー蒸着法|シード層|transparent conductive film|transparency in near infrared region|high mobility|SnO2|pulsed laser deposition|seed layer

要約(日本語): 本研究では、シード層の最適化によって、さらなる移動度の向上および高赤外透明性を目指した。具体的には単独でシード層として有効なTiO2とNbO2が全固溶系を形成する事実に着目した。固溶に伴って系統的にa軸長が変化する事(13)から、固溶体(Ti,Nb)O2シード層が非常に良い格子整合を示し、移動度が向上する事を期待した。

要約(英語): In this study, we have successfully fabricated very high-mobility W-doped SnO2 (WTO) transparent conductive thin films by pulsed lase deposition. Lattice matched seed layer of rutile (Ti,Nb)O2 induced (001)-oriented growth of WTO films on glass substrates, resulting in dramatically enhanced mobility. The highest mobility obtained was 136 cm2V-1s-1 at a carrier concentration of 1.4×1020 cm-3. Transmittance of greater than 70% was obtained in the wavelength region of 4002450 nm. These demonstrate that WTO thin films are highly suitable for full spectrum photovoltaics.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,169 Kバイト